横山研究室top ->研究室の装置紹介 ->MBE(分子線エピタキシー)

分子線エピタキシー(MBE)

 薄膜を作成するための装置です。
 次の項目で説明する真空蒸着機は高真空中で成膜しますが、こちらは超高真空中で成膜します。そのため真空装置よりもかなり大がかりな装置となっています。
 超高真空中のクヌーセンセルに入れた蒸着物質を加熱して昇華させ、それを液体窒素シュラウドで冷やし分子線として基板に入射し薄膜を形成します。また、条件によりエピタキシャル成長させることができます。”分子線”を使って、”エピタキシャル成長(注)”をさせる装置が、分子線エピタキシー(MBE)です。

注)エピタキシャル成長;基板の原子配列に沿って蒸着物質が成長すること。